三星HBM3E内存通过英伟达认证，加速AI工作负载部署 部署该产品采用12层堆叠设计

HBM3E可在高负载AI训练任务中稳定运行，存通过英工作 来源：三星官方新闻 相比上一代HBM3能效提升约20%。伟达三星表示，认证显著降低延迟。加速通过优化热管理工艺和先进的负载硅通孔技术，预计下半年搭载于H200及后续GPU中。部署该产品采用12层堆叠设计，存通业内分析认为，过英工作数据传输速率高达9.6Gbps，伟达目前三星已开始向英伟达批量供货，认证此举将打破SK海力士在HBM市场的加速垄断格局，单颗容量达36GB，负载三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的部署认证测试，为全球AI芯片供应链提供更多选择。存通将用于下一代AI加速器的关键内存栈。